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| 제목 : 마이크론 대만 신공장 차질…삼성·SK 증산 속도, 2028년 D램 판도 가른다
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| 2026년 11월 09일 16:14 이수진 기자 |
| 마이크론 대만 신공장 차질…삼성·SK 증산 속도, 2028년 D램 판도 가른다 |
마이크론 타오위안 노사, 17일 성과급 후속 협상
삼성 P4·SK M15X 증산…P5·용인 첫 팹도 준비
마이크론 퉁뤄·아이다호도 2027년부터 순차 가동
미국 메모리 반도체 업체 마이크론의 대만 타오위안 신공장 건설이 노사 갈등으로 차질을 빚고 있다. 경쟁사인 삼성전자와 SK하이닉스는 각각 평택과 청주에서 D램 생산능력을 늘리고 평택·용인에 신규 팹을 준비 중이다. AI 서버용 메모리 수요가 늘어나는 가운데, 세 회사가 증설한 라인에서 고대역폭메모리(HBM)와 서버용 D램을 얼마나 제때 공급하느냐가 2028년 이후 시장 점유율을 가를 변수로 떠올랐다.
대만 현지 언론에 따르면 마이크론과 타오위안 공장 노조는 오는 17일 후속 협상을 벌이기로 했다. 양측은 6일 성과급 배분 문제를 놓고 협상했으나 합의에 이르지 못했다.
앞서 블룸버그는 마이크론이 노사 갈등으로 타오위안 신공장 ‘팹 11E’ 건설을 사실상 중단했다고 보도했다. 팹 11E는 최대 45억달러를 투입해 2028년부터 HBM과 범용 D램을 생산할 예정이던 시설이다.
타오위안 공사가 지연되면 2028년 이후 신규 물량이 시장에 풀리는 시점도 늦어질 수 있다. 예정대로 가동하더라도 첫 웨이퍼를 생산한 뒤 출하량을 본격적으로 늘리기까지는 시간이 걸린다. 대만경제일보는 “대만 생산기지는 마이크론이 삼성전자, SK하이닉스, 중국 CXMT와 경쟁하는 데 중요한 역할을 하고 있다”고 보도했다.
카운터포인트리서치에 따르면 올해 3분기 글로벌 D램 매출 점유율은 삼성전자 38%, SK하이닉스 29%, 마이크론 21%였다. 차세대 HBM4E(7세대 HBM)에선 HBM4(6세대)부터 10나노급 6세대(1c) D램을 적용한 삼성전자가 5월 12단 샘플을 먼저 공급했다. HBM4에 5세대(1b) D램을 쓴 SK하이닉스도 HBM4E에서 1c로 전환해 6월 샘플을 공급했다. 마이크론은 기존 1베타에서 1감마로 공정을 전환해 2027년 HBM4E 양산을 추진한다.
국내 D램 제조사들도 빠른 속도로 생산을 준비 중이다. 삼성전자는 평택 P4에서 1c D램 생산라인을 확충하고 있다. 평택 P5는 2028년 본격 가동을 목표로 구축 중이다. 삼성전자는 지난달 3분기 실적 콘퍼런스콜에서 “내년 HBM 공급 물량은 제품 경쟁력을 감안한 목표 수준의 가격으로 협상이 완료돼 이미 솔드아웃된 상태”라고 밝혔다. 새 팹을 지어 웨이퍼 생산을 늘리기까지 시간이 걸리는 만큼 2028년에도 메모리 공급이 빠듯할 것으로 내다봤다.
SK하이닉스는 청주 M15X의 생산능력을 연말까지 최대한 끌어올려 HBM4 생산을 늘릴 계획이다. 3분기 컨퍼런스콜에서도 “4분기에 HBM4의 출하량과 매출이 HBM3E(5세대)를 넘어 주류 제품으로 자리매김할 것”이라고 내다봤다.
SK하이닉스의 용인 첫 팹은 2027년 초 클린룸을 열고 후속 생산능력을 확보한다는 계획도 밝힌 바 있다. 클린룸 개방 이후 장비를 들이고 양산에 들어가는 일정인데, 2028년 실제 출하량으로 이어질 것으로 분석된다. 늘어난 생산능력이 HBM용과 서버용 DDR5 등 2028년 범용 D램에 얼마나 배정되는지도 변수다.
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