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| 제목 : 용인 클러스터 SK하이닉스 1기 팹 착공…"차세대 D램 생산 거점"
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| 2025년 02월 25일 16:47 유선일 기자 |
| 용인 클러스터 SK하이닉스 1기 팹 착공…"차세대 D램 생산 거점" |
SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 지난 21일 용인시의 건축 허가가 승인되면서 용인 반도체 클러스터 내 SK하이닉스 1기 팹 건설 공사가 시작됐다.
용인 반도체 클러스터는 총 415만㎡(약 126만평) 규모 부지에 조성된다. SK하이닉스 팹 약 60만평, 소부장 업체 협력화단지 14만평, 인프라 부지 12만평 등으로 구성된다.
SK하이닉스는 총 4기의 팹을 순차 조성할 예정이다. 첫 번째 팹은 2027년 5월 준공한다는 목표다.
SK하이닉스는 "용인캠퍼스는 HBM(고대역폭메모리)을 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로서 급증하는 AI(인공지능) 메모리 반도체 수요를 적기 대응해 중장기 성장 기반을 주도할 예정"이라고 했다. 이어 "클러스터 내 50여개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정"이라고 밝혔다.
유선일 기자 jjsy83@mt.co.kr
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