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| 제목 : [컨콜] SK하이닉스 “1c나노 목표 수율 상회, HBM4E에 적용할 것”
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| 2025년 01월 23일 11:12 이수진 기자 |
| [컨콜] SK하이닉스 “1c나노 목표 수율 상회, HBM4E에 적용할 것” |
SK하이닉스가 23일 열린 2024년 4분기 실적 컨퍼런스콜에서 10나노(나노미터, ㎚)급 6세대(1c) 공정을 적용한 D램과 관련해 “5세대(1b) 나노를 적용한 우수한 제품 개발을 바탕으로 지난해 하반기에 1c 제품 개발을 완료했고 양산성도 확보했다”고 밝혔다.
회사는 “인공지능(AI) 시대로 넘어오며 빠른 데이터 처리 속도와 저전력 특성 요구되는 추세에 맞춰 향후 서버 수요에 최적화된 제품”이라며 “1c 제품은 이미 개발단계에서 초기 양산목표수율을 상회하고 있으며, 양산 확대 시 유의미한 원가절감 가능할 것”이라고 했다.
이어 “우수한 성능과 초기 안정적인 수율 보이는 1c 제품을 HBM4E(고대역폭메모리 7세대)에 적용해서 차세대 HBM를 적기에 개발하고 공급해 시장의 리더십을 유지해나갈 것”이라고 말했다.
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[컨콜] SK하이닉스 “1c나노 목표 수율 상회, HBM4E에 적용할 것”
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